买卖IC网 >> 产品目录 >> SUB85N10-10-E3 MOSFET 100V 85A 250W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SUB85N10-10-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 100V 85A 250W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 100V 85A 250W
SUB85N10-10-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 100 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 85 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 10.5 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-263-3
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SUB85N10-10-E3
SUB85N10-10-GE3
SUBF2030
SUD06N10-225L
SUD06N10-225L-E3
SUD06N10-225L-GE3
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  • SUB85N10-10-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价